Transistor di carta

Il transistor si fa con la carta. Lo fanno sapere dal Centro de Investigação de Materiais (Cenimat/I3N), della Faculdade de Ciências e Tecnologia, Universidade Nova (Lisbona), dove Elvira Fortunato e Rosdrigo Martins hanno messo a punto il primo transistor ad effetto di campo (Fet, Field effect Transistor) realizzato con un comune foglio di carta come interstrato.

Attualmente si registra un  interesse crescente nell’uso di biopolimeri per applicazioni elettroniche a basso costo. Poiché  la cellulosa è il principale polimero sulla Terra, da tempo la carta viene utilizzata come supporto fisico (substrato) nelle apparecchiature elettroniche. Nessuno prima d’ora, però, l’aveva utilizzata come componente di un Fet.

Nella costruzione del dispositivo sperimentale, i ricercatori del Cenimat /I3N hanno utilizzato un foglio di carta al posto dello strato dielettrico (isolante) dei normali transistor a pellicola sottile, e hanno costruito il congegno su entrambi i lati del foglio: in questo modo la carta agisce contemporaneamente sia come isolante, sia come substrato.

Secondo  i ricercatori, il nuovo dispositivo elettronico è estremamente competitivo rispetto ai transistor a pellicola sottile (Tft, Thin Film Transistor) prodotti con substrati di vetro e silicio cristallino, oggi largamente utilizzati. Dal punto di vista del rendimento infatti, le prestazioni di questi transistor ibridi risultano superiori a  quelle dei Fet tradizionali al silicio e competitive rispetto a quelli a pellicola sottile.

Alcuni possibili impieghi, tra i molti, vanno dai nuovi tipi di display, ai sistemi di identificazione a radiofrequenza (tag), alle etichette intelligenti, agli innovativi sistemi di packaging. I risultati dello studio saranno disponibili su Ieee Electron Device Letters da settembre. (e.r.)