In arrivo i “super diodi”

Ridurre la complessità di un chip senza diminuirne le prestazioni. È questo l’obiettivo che alcuni ricercatori della Ohio State University (Usa) dichiarano di poter raggiungere grazie al progetto di un nuovo tipo di diodo. La loro ricerca, che apparirà su Applied Physics Letters, avrebbe infatti portato alla realizzazione di un dispositivo in grado di condurre una quantità di corrente elettrica superiore di circa tre volte rispetto a quella ottenibile con diodi della stessa classe attualmente esistenti. Infatti, il diodo proposto, della classe dei diodi tunnel, sarebbe l’unico realizzato in silicio a garantire prestazioni di questo tipo. Rispetto ai diodi che non impiegano silicio presenterebbe poi il vantaggio di essere più facilmente integrabile in molti dispositivi elettronici in commercio, come i telefoni cellulari e i computer. Gli autori del lavoro spiegano che la loro scoperta è stata possibile grazie all’abbandono della filosofia tecnologica attuale e al ricorso ai principi che avevano ispirato i lavori del Nobel Leo Esaki, primo a proporre il diodo tunnel negli anni Sessanta. Oltre a una semplificazione della struttura circuitale del chip, l’impiego di questo tipo di diodi potrebbe consentire la progettazione di sistemi elettronici funzionanti con batterie a basso consumo energetico. Questa caratteristica lo renderebbe molto appetibile per tutte quelle applicazioni affamate di potenza, come i telefonini o i dispositivi biomedicali senza fili per diagnostica non invasiva. (m.cap.)