Un nuovo tipo di transistor in cui i fotoni vengono manipolati così come finora si è fatto con gli elettroni. È il risultato raggiunto da due ricercatori dell’Università dell’Illinois a Urbana-Champaign (Usa): Nick Holonyak, inventore del diodo a emissione luminosa (il Led), e Milton Feng, creatore del transistor bipolare più veloce al mondo, che opera a una velocità di 509 gigahertz. “Ciò che abbiamo scoperto”, precisa Holonyak, “è l’emissione di luce dal transistor e il fatto che la sua intensità può essere controllata variando la corrente immessa. Le ricerche sono ancora a uno stadio embrionale, perciò è difficile dire quali potrebbero essere le applicazioni di questa scoperta. Ma il transistor a emissione luminosa schiude un ampio dominio di circuiti elettrici integrati e di elaborazione di segnali ad alta velocità che coinvolge sia segnali elettrici che ottici”. A differenza del transistor tradizionale, dotato di due porte (una per l’input e l’altra per l’output), il nuovo dispositivo ne ha tre, una per l’input, una per l’output elettrico e un terzo per l’output ottico. “Questo significa”, spiega Feng, “che possiamo interconnettere segnali ottici e elettrici per vari tipi di comunicazione”. (m.mo.)
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